量子点薄膜晶体管的研究
作者：王成群
单位：阳明量子科技(深圳)有限公司研究部
溶液加工法制备的胶体半导体量子点(QD)具有低成本和广泛应用于多种电子和光电器件的潜在优势,但是QD表面用作防止团聚的长链配体反而大大降低了QDTFT的载流子迁移率。论文介绍了量子点的制备和量子点TFT的制备,总结了以硫醇、胺或金属硫族化物对QD表面的长链配体进行交换,向QD活性层掺杂In或Sn以增加载流子,以卤族元素包覆QD钝化QD表面缺陷等方法对量子点TFT的载流子迁移率等性能的改善情况。近年来,量子点薄膜晶体管(QDTFT)作为一种新型纳米器件引起了研究者的广泛关注。
DOI：
10.19772/j.cnki.2096-4455.2021.1.001
关键词：
Array
所属期刊栏目：
电子元器件与材料
分类号：
TN321.5
页码：
1-2+7
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